Институт физики полупроводников в год столетия со дня рождения основателя института, академика Анатолия Ржанова, проведет в апреле 2020 года международную конференцию «Физика полупроводниковых структур».
В апреле 2020 года исполнится 100 лет со дня рождения академика Анатолия Ржанова. Фронтовик, участник Великой Отечественной войны, тяжело раненый под Ленинградом, он в 42 года стал руководителем Института физики полупроводников (с 2006-го года носит его имя), организовал кафедру физики полупроводников в Новосибирском государственном университете. Был награжден орденом Ленина, Трудового Красного знамени, другими орденами и медалями.
Институт физики полупроводников организует в честь юбилея ученого международную конференцию «Физика полупроводниковых структур». Конференция пройдет на площадке ИФП СО РАН.
Основные научные направления конференции:
-электрические и оптические свойства, высокочастотные (СВЧ и терагерцовый диапазон) явления в полупроводниках
-эпитаксия, атомная и электронная структура поверхности, процессы формирования (самоорганизации) на поверхности и границе раздела, СТМ и АСМ, оптическая микроскопия ближнего поля.
-Структурные, электронные, магнитные и оптические свойства в системах с пониженной размерностью (2D, 1D, 0D)
-Углеродные и графеноподобные наноматериалы, молекулярные системы
-Фотонные кристаллы, микрорезонаторы и метаматериалы. Нанофотоника и плазмоника
-Технология и методы исследования полупроводниковых приборов и устройств
Тезисы принимаются до 10 февраля
Фото: из открытых источников
